IGFET

//ˌaɪ dʒiː ɛf ˈtiː//

Component Analysis

Insulated-Gate

전기가 직접 통하지 않도록 얇은 막으로 분리된 제어부(Gate)

Field-Effect

전기장(Electric Field)을 형성하여 전하의 흐름을 물리적 접촉 없이 조절하는 방식

Transistor

전류의 흐름을 조절하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자

각 단어의 머리글자를 딴 약어로, 게이트가 채널과 물리적으로 절연되어 있으며 전기장만을 이용해 전류를 제어하는 트랜지스터의 구조적 특징을 결합한 명칭입니다.

Grammar & Usage

Note:주로 전자 공학 및 반도체 물리학 분야에서 전문 용어로 사용되며, 가산 명사로 취급됩니다.

Usage & Meaning

절연 게이트 전계 효과 트랜지스터; 게이트 전극이 반도체 채널과 얇은 절연층에 의해 분리되어 있는 전계 효과 트랜지스터(FET)의 일종.

게이트가 절연되어 있어 입력 임피던스가 매우 높다는 물리적 특성이 'Insulated-Gate'라는 명칭에 반영되었으며, 이는 현대 반도체의 핵심 원리입니다.

“The IGFET is the most common type of field-effect transistor used in digital integrated circuits.”

IGFET은 디지털 집적 회로에서 가장 흔하게 사용되는 전계 효과 트랜지스터의 유형입니다.C2

Often used with:

MOSFETgate oxideinput impedancesemiconductor device

vs. MOSFET

MOSFET은 금속(Metal), 산화물(Oxide), 반도체(Semiconductor) 구조를 가진 IGFET의 가장 대표적인 형태입니다. 모든 MOSFET은 IGFET이지만, 절연체로 산화물 외의 물질을 사용하는 경우도 있으므로 IGFET이 더 넓은 범주의 용어입니다.