Compound / Technical AcronymC2en

MNOS

//ˌɛm ɛn oʊ ˈɛs//
Component Analysis
Metal
전기 신호를 전달하는 전도성 게이트 전극
+
Nitride
전하를 포획하여 저장하는 질화물(Si3N4) 층
+
Oxide
전하의 이동을 조절하는 얇은 산화물(SiO2) 터널링 층
+
Semiconductor
전류가 흐르는 기반이 되는 실리콘 기판

각 재료의 앞글자를 따서 층을 쌓아 올린 순서대로 명명함. 금속 게이트 아래에 질화물과 산화물 절연층이 있고, 그 아래 반도체가 위치하는 샌드위치 구조를 나타냄.

Grammar & Usage

Note:주로 반도체 공학 및 전자 회로 설계 문맥에서 명사로 사용됨.

Usage & Meaning

금속-질화물-산화물-반도체 적층 구조를 이용한 비휘발성 메모리 소자 기술.

산화물과 질화물의 경계면에 전하를 가두는(Trapping) 방식을 통해 전원이 꺼져도 데이터를 유지하는 메모리의 물리적 특성을 설명함.

“MNOS technology was a precursor to modern flash memory, utilizing charge trapping in the nitride layer.”

MNOS 기술은 질화물 층의 전하 포획 방식을 활용한 현대 플래시 메모리의 전신이었습니다.C2
Often used with:
MNOS transistorMNOS memory devicecharge trappingnon-volatile memory

vs. Floating Gate (FG)

Floating Gate는 전도성 층에 전하를 저장하는 반면, MNOS는 절연체(질화물) 내의 결함(trap)에 전하를 저장하는 방식의 차이가 있음.